Двулучевой сканирующий электронно-ионный микроскоп FIB-SEM с плазменной пушкой в качестве источника ионов и электронной колонной сверхвысокого разрешения. Широкоформатные поперечные сечения ионным пучком для анализа отказов многокомпонентных изделий в собранном виде.
Микроскоп TESCAN SOLARIS X расширяет возможности FIB-анализа физических отказов корпусированных микроэлектромеханических и оптоэлектронных устройств благодаря мощной плазменной ионной пушке i-FIB+™ Xe, которая позволяет изготавливать кросс-секции глубокие и широкие (вплоть до ширины 1 мм). Комбинация высокопроизводительной ионной пушки i-FIB+™ Xe с современным поколением иммерсионной электронной колонны Triglav™, оснащенной трёхлинзовым объективом TriLens™, привлекательна с точки зрения не только изготовления, но и изучения полученных кросс-секций.
Модификация микросхем с помощью плазменной пушки в качестве источника ионов Xe+ позволяет стравливать большие объемы материала без недостатков, присущих традиционным методам послойного препарирования микросхем, которые зачастую занимают много времени, разрушительны для всей микросхемы в целом (а не только для вскрываемого участка), зависят от квалификации оператора и могут вызывать нежелательные механические/тепловые артефакты. Степень имплантации ионов Xe+ и глубина их проникновения в материал образца значительно меньше, чем у ионов Ga+. Кроме того, инертная природа ионов Xe+ предотвращает образование интерметаллических соединений с материалом образца, которые в противном случае могут приводить к изменениям физико-химических свойств образца и препятствовать последующим тестовым электрическим измерениям вскрытых областей.
Микроскоп TESCAN SOLARIS X оснащен электронной колонной Triglav™, в которой используется запатентованный объектив TriLens™, состоящий из трех линз. Этот иммерсионный объектив ультравысокого разрешения идеально подходит для получения СЭМ-изображений немагнитных образцов и чувствительных к электронному пучку образцов при низких энергиях электронного пучка. Неиммерсионный аналитический режим работы микроскопа позволяет получать СЭМ-изображения с высоким разрешением, проводить мониторинг FIB-операций в реальном времени и иметь широкое поле обзора для бесшовной, быстрой и простой навигации по образцу. Третья объективная линза формирует различные режимы получения изображений (например, режим с расширенной глубиной резкости) и оптимизирует форму электронного пятна при больших токах электронного пучка. Система детекторов, встроенных внутрь колонны, включает в себя три SE-детектора TriSE™ и три BSE-детектора TriBE™, что позволяет оптимизировать методы контрастирования благодаря селекции вторичных и обратно отражённых электронов по углам рассеяния и таким образом получать больше информации об исследуемом образце. Кроме того, чувствительность сигнала обратно отражённых электронов к самым тонким приповерхностным структурам образца может быть повышена за счет фильтрации отражённых электронов по энергиям.
Графический пользовательский интерфейс TESCAN Essence™, который включает в себя программный модуль для создания векторных шаблонов для литографии ионным пучком DrawBeam™ FIB, может быть настроен для конкретных рабочих процессов с учетом навыков и/или предпочтений пользователя. Кроме того, выбор программных модулей, мастеров настройки и рецептов для выстраивания логической последовательности операций делает работу с FIB-SEM простой и понятной как для начинающих, так и для опытных пользователей.
Ключевые преимущества
- Изготовление безартефактных поперечных сечений большой площади для анализа физических отказов изделий, созданных по передовым технологиям сборки
- Изготовление с помощью ионной колонны больших поперечных сечений вплоть до 1 мм в ширину
- Получение СЭМ-изображений с низким уровнем шумов и быстрым временем накопления даже при низких энергиях пучка электронов. Образец может быть наклонён
- СЭМ-мониторинг FIB-операций в реальном времени для точного определения момента их окончания, мониторинг происходит в точке совмещения пучков FIB и SEM
- Встроенные внутрь электронной колонны детекторы вторичных и обратно отражённых электронов TriSE™ и TriBE™ с селекцией по углам рассеяния и по энергиям
- Эффективные методы и рецепты, которые позволяют с использованием FIB-пучка с большим током изготовить поперечное сечение быстро, и при этом без артефактов. Есть рецепты в том числе для композитных образцов (OLED- и TFT-дисплеи, MEMS-устройства, изолирующие диэлектрики)
- Простой в использовании модульный пользовательский интерфейс Essence™
