Установка финальной полировки образцов для СЭМ методом широкого пучка ионов аргона производства компании Technoorg Linda Ltd. (Венгрия)
Модель SEMPrep2 SC-2100 предназначена для финальной полировки методом травления широким пучком ионов аргона с целью получения бездефектной поверхности широкого круга материалов, что в настоящее время наиболее востребовано для EBSD исследований. Установка SEMPrep2 оборудована одновременно как высокоэнергетической ионной пушкой, так и ионной пушкой низкой энергии. Наличие двух типов ионных источников необходимо для гарантированного покрытия диапазонов низкой и высокой энергии - от 100 эВ до 16 кэВ. Конструкции каждой из пушек отличаются вследствие различия физических принципов формирования направленного потока ионов аргона с разными ускоряющими напряжениями.
Высокоэнергетическая ионная пушка запатентованной конструкции TELETWIN c расширенным диапазоном энергий (до 16 кэВ) создаёт широкий поток ионов аргона и обеспечивает повышенную плотность ионного тока, что позволяет достигнуть чрезвычайно высокой скорости распыления самых твёрдых материалов, таких как алмаз или сапфир. Обработка образца может осуществляться в течение длительного времени и сохраняет эффективность даже при малых углах падения ионов. Этот источник ионов демонстрирует стабильную работу вплоть до ускоряющего напряжения 16 кВ и создаёт исключительно интенсивный поток ионов аргона.
Низкоэнергетическая ионная пушка (от 100 эВ до 2 кэВ) модифицированной конструкции TELETWIN с дополнительным термоэмиссионным катодом и фокусирующей линзой для мягкого травления формирует стабильный поток ионов аргона, что позволяет проводить деликатную полировку поверхности в рамках прецизионной пробоподготовки для EDS, WDS и EBSD. Финальная обработка ионами аргона низкой энергии позволяет значительно снизить или полностью устранить артефакты поверхности образца, которые могли быть вызваны воздействием ионов высокой энергии, перегревом или фазовыми преобразованиями, что даёт возможность детально изучить тонкую структуру изучаемой поверхности.
Конструкция дополнительных держателей образцов с преднаклоном открывает широкие возможности для выполнения точного и аккуратного наклонного среза под углом 30°, 45° или 90° выбранной области (включения, частицы). Наклонная геометрия ионного сечения чрезвычайно эффективна для подготовки негомогенных и пористых образцов с фазами разной твердости, анализа отказов в микроэлектронике, изучению полупроводниковых наноструктур и многослойных покрытий, композитных материалов и керамик, полимеров, стекол, волокон и многих других типов материалов. Выбор угла держателя, в первую очередь, определяется задачей эксперимента и удобством дальнейшего анализа поверхности среза: 30° позволяет достигнуть высокой скорости распыления материала, 45° даёт удобство дальнейшего расчёта линейных размеров на срезе без применения дополнительных геометрических преобразований, а срез под 90° - это классическое поперечное сечение, полученное по аналогии с методом сфокусированного ионного пучка FIB-SEM. Метод наклонного сечения также позволяет получить высококачественные поверхности любых пористых материалов, поскольку только при использовании этой методики поры остаются чистыми и открытыми для дальнейшего исследования.
