Вебинар по ионной пробоподготовке для SEM и EBSD/ 3 июня

Дата и время: 3 июня с 11 до 12 часов (МСК).

>> Событие завершено. Ссылка на видеозапись

Модель установки SEMPrep2 SC-2100 предназначена для финальной полировки методом травления широким плоскопараллельным пучком ионов Ar с целью получения бездефектной поверхности широкого круга твердых материалов, что в настоящее время наиболее востребовано для EBSD исследований. Установка SEMPrep2 оборудована одновременно как высокоэнергетической ионной пушкой, так и ионной пушкой низкой энергии. Наличие двух типов ионных источников необходимо для гарантированного покрытия диапазонов низкой и высокой энергий ионов от 100 эВ до 16 кэВ.

Конструкция дополнительных держателей образцов открывает широкие возможности выполнения точного и аккуратного наклонного среза (30°, 45° и 90°) выбранной области (включения, частицы) на поверхности образца. Геометрия наклонного среза чрезвычайно удобна и эффективна для подготовки негомогенных образцов с фазами разной твердости, анализа отказов в микроэлектронике, изучения полупроводниковых наноструктур и многослойных покрытий, композитных материалов, керамик, полимеров, стекол и многих других типов материалов. Выбор угла держателя для наклонного среза, в первую очередь, определяется задачей эксперимента и удобством дальнейшего анализа:

• 30° позволяет добиться максимальной скорости травления материала;

• 45° используется для дальнейшего расчёта линейных размеров на срезе без применения дополнительных геометрических преобразований;

• срез под 90° чрезвычайно удобен для создания поперечного сечения различных волокон или получения поперечного сечения по аналогии с методом сфокусированного ионного пучка FIB-SEM.

Метод наклонного среза также позволяет получить высококачественные истинные поверхности любых пористых материалов, поскольку только при использовании этой методики поры остаются чистыми и открытыми для дальнейшего изучения.

Методика ионного травления поверхности широким пучком ионов Ar является одним из вариантов финальной пробоподготовки и применяется для удаления аморфного (деформированного, наклёпанного) слоя, толщина которого обычно лежит в диапазоне от 1 до 100 нм. В этой связи ионная пробоподготовка успешно применяется во всех методиках, которые особенно чувствительны к качеству подготавливаемой поверхности: метод дифракции обратно рассеянных электронов (EBSD), наблюдение ориентационного контраста и других. Например, если для элементного EDS или WDS анализа было достаточно сделать только горизонтальный и полированный шлиф, то для исследования методом EBSD обязательно требуется удаление тонкого деформированного слоя (Beilby layer), который всегда в той или иной степени присутствует на поверхности после этапов механической пробоподготовки.