Плазменная ионная колонна модели i-FIB является идеальным решением на современную проблему роста требований к скорости травления образца. i-FIB использует плазменную ионную пушку, в которой реализована запатентованная технология компактного источника без охлаждения, основанного на принципе электронно-циклотронного резонанса (ECR). Плазменная пушка позволяет достичь скорости травления до 50 раз выше, чем самая мощная галлиевая ионная колонна (Ga FIB). При этом на высоких токах разрешение плазменной электронной колонны лучше, чем у галлиевой. В тоже время i-FIB прекрасно готовит образцы для просвечивающей электронной микроскопии (TEM) толщиной от 100 нм и ниже.
Ключевые преимущества плазменной ионной колонны над галлиевой:
- отсутствие загрязнения образца галлием и минимальное повреждение его структуры, что обусловлено использованием ионов благородного газа;
- высокоскоростное вытравливание больших объемов материала в выбранной области, что обеспечивается высоким током зонда до 2 мкА;
- большое поле обзора вплоть до 1 х 1 мм.
Колонна i-FIB обеспечивает высокую производительность, которая востребована во многих областях, в частности, при анализе отказов в полупроводниковой промышленности (изготовление срезов или плоское травление), изготовление и контроль качества МЭМС, пробоподготовка для TEM, исследование биологических объектов.
Источником плазмы могут служить разные газы, в зависимости от решаемых задач:
- Xe2 или Ar2 используются для резки и травления,
- He2 – для получения изображений,
- O2 – для анализа поверхности.
i-FIB легко адаптируется к любым вакуумным камерам, также доступна в высоковакуумной конфигурации.
