Продукция >> MIRA >> Mira 3 XM

Восстановление пароля

Если вы забыли или потеряли свой пароль. Введите имя пользователя в систему, и если мы сможем найти вас, отправим вам письмо с инструкцией по смене пароля

Имя пользователя 

Введите код с картинки
This is a captcha-picture. It is used to prevent mass-access by robots. (see: www.captcha.net)

 

Аналитический потенциал

Камера сканирующего электронного микроскопа с маркировкой XM — это предназначенная для самых разных аналитических задач экстра-большая камера, которая оборудована:

  • компуцентрическим столиком образцов, полностью моторизованным по всем 5-ти осям,
  • 12+ интерфейсных портов, аналитическая геометрия которых оптимизирована для работы с приставками EDX, WDX и EBSD, а также со многими другими детекторами;
  • детекторами сцинтилляционного типа, основой которых являются высокочувствительные YAG-кристаллы превосходного качества,
  • на выбор доступны опциональные детекторы и аксессуары.

Уровень вакуума, достаточный для полноценного функционирования микроскопа, достигается за несколько минут с помощью высокопроизводительных турбомолекулярного и форвакуумного насосов. Высокий уровень вакуума в области электронной пушки, необходимый для функционирования катода Шоттки, достигается с помощью геттерно-ионных насосов.

Микроскоп версии XMU позволяет исследовать непроводящие образцы в режиме с переменным давлением в камере; великолепные результаты получаются при анализе намагниченных образцов.

Для эффективного гашения внешних вибраций предусмотрены разные варианты подвески камеры и колонны.

При наличии опционального ПО возможна реконструкция трехмерного профиля поверхности с измерениями истинных размеров, площадей либо объемов объектов на поверхности.

Конфигурации микроскопа MIRA3 XM

MIRA 3 XMH

Сканирующий электронный микроскоп с с экстра-большой камерой (XM) в высоковакуумном исполнении, предназначен для широкого круга задач, в которых исследуются образцы, проводящие электрический ток, либо непроводящие с нанесенным на них токопроводящим покрытием. Микроскоп обеспечивает получение изображений непревзойденного качества.

MIRA 3 XMU

Сохраняя все преимущества высоковакуумного микроскопа, модель микроскопа для работы не только с высоким, но и с переменным вакуумом в камере образцов имеет техническую возможность исследовать непроводящие образцы в их естественном состоянии, без какого бы то ни было напыления токопроводящим слоем.

FEG SEM высокого разрешения

  • Катод Шоттки высокой яркости для получения изображений с высоким разрешением, высокой контрастностью, с низким уровнем шумов.
  • Опциональные In-Beam детекторы (детекторы SE и/или BSE , встроенные в полюсный наконечник объективной линзы) расширяют возможности микроскопа по созданию изображений с высоким разрешением.

Современная электронная оптика

  • Уникальная конструкция электронно-оптической колонны с тремя линзами (технология Wide Field Optics™) позволяет использовать оптическую систему в различных режимах: Разрешение, Глубина фокуса, Поле, Широкое поле, Качающийся зонд.
  • Замена эффективной финальной апертуры осуществляется с помощью электромагнита – запатентованная промежуточная линза (IML) работает в качестве устройства смены апертуры.
  • Конструкция колонны микроскопа без единого механически центрируемого элемента позволяет автоматизировать многие процедуры настройки, включая юстировку и центрирование электронной оптики.
  • Запатентованная технология In-Flight Beam Tracing™, интегрированная с хорошо себя зарекомендовавшим программным модулем Electron Optical Design , служит для вычисления с высокой точностью параметров пучка в реальном времени и оптимизации этих параметров «на лету», что позволяет, в частности, напрямую задавать желаемый диаметр зонда либо ток зонда в непрерывном диапазоне.
  • Благодаря передовой технологии 3D Beam Technology оператору доступны уникальные "живые" стереоскопические изображения, которые открывают изумительный трехмерный микро- и нано-мир для 3D-исследований и 3D-навигации.
  • Ультра-высокая скорость сканирования (вплоть до 20 нс/пиксель).

Управление микроскопом

Управление микроскопом осуществляется из программной оболочки MiraTC на платформе WindowsTM с использованием клавиатуры, мыши и трекбола. Контрольная панель и/или сенсорный монитор поставляются дополнительно.

В стандартной поставке:

  • Измерения
  • Обработка изображений
  • «Живое» 3D сканирование
  • «Живая» гамма-коррекция
  • Расчет твердости
  • Калибровка маркера для серии изображений
  • Площадь объектов
  • Таймер выключения
  • Контроль допусков
  • Встроенный язык программирования (Python)
  • Позиционирование и удобная навигация по образцу
  • Видео-захват
  • EasySEMTM

Опционально:

Электронная оптика

Источник электронов: Катод Шоттки высокой яркости
(катод с полевой эмиссией)
Разрешение:
в режиме высокого вакуума (SE): 1,2 нм при 30 кВ
2,5 нм при 3 кВ
в режиме высокого вакуума при наличии опционального детектора In-Beam SE: 1,0 нм при 30 кВ
2,0 нм при 3 кВ
при наличии опциональной технологии торможения пучка (BDM): 1,5 нм при 3 кВ
при наличии опционального детектора «на просвет» STEM: 0,8 нм при 30 кВ
при наличии опционального детектора In-Beam BSE: 2.0 нм при 15 кВ
в режиме переменного вакуума (LVSTD): 1,5 нм при 30 кВ
3,0 нм при 3 кВ
в режиме переменного вакуума (BSE): 2,0 нм при 30 кВ
Увеличение: при 30 кВ: от 1 × до 1 000 000 ×
(увеличение указано для изображения шириной 5 дюймов, непрерывное изменение увеличения во всем диапазоне)
Максимальное поле обзора: 20 мм при WD = 30 мм
Ускоряющее напряжение: от 200 В до 30 кВ / от 50 В до 30 кВ при наличии опции BDT (технологии торможения пучка электронов)
Ток пучка электронов: от 2 пА (2•10-12 А) до 200 нA (200•10-9 А)
Рабочие режимы электронной оптики:
Разрешение: высокое разрешение
Глубина: большая глубина резкости
Поле: большое поле зрения без искажений
Широкое поле: максимальная площадь обзора образцов в камере при минимальных увеличениях без искажений (увеличение известно)
Каналирование: картины каналирования электронов (ECP) для оценки характеристик кристаллической ориентации образца
В режиме переменного вакуума доступны только режимы "Разрешение" и "Глубина"

Система сканирования

Скорость сканирования: От 20 нс до 10 мс на пиксель, регулируется ступенчато или непрерывно
Режимы сканирования: Сканирование по линии и в точке. Форма, размер и положение Окна Фокусировки плавно меняются. Динамический фокус вплоть до наклона плоскости на ± 70°, двойной динамический фокус (для объектов, расположенных ребром).
Сдвиг и вращение области сканирования.
Коррекция наклона образца.
3D пучок – поворот оси сканирования на заданный угол вокруг XY оси.
"Живое" стереоскопическое изображение.
Возможны произвольные формы окна сканирования с опциональным модулем DrawBeam

Вакуумная система

Вакуум в камере образцов:
Режим высокого вакуума: < 9 × 10-3 Па*
Режим переменного вакуума: 7 – 500 Па**
* давление < 5 × 10-4 Па достижимо, точное измерение давления возможно при заказе опционального вакуумного датчика;
** – требуется вставить разделительную апертуру
Вакуум в области электронной пушки:< 3 × 10-7 Па
Типичное время откачки после смены образцов: < 3 минут

Камера

Внутренние размеры:285 мм (ширина) × 340 мм (глубина)
Дверца:285 мм (ширина) × 320 мм (высота)
Число портов:12+
+ Конфигурация и число портов могут быть изменены под задачи заказчика
Подвеска камеры и колонны: Стандартно: пневматическая
Опционально: интегрированная активная
электромагнитная

Столик образцов

Тип:Компуцентрический, полностью моторизованный
Перемещения: X = 130 мм (от –50 мм до +80 мм)
Y = 130 мм (от –65 мм до +65 мм)
Z = 100 мм
Вращение 360° непрерывно
Наклон: от –30° до +90°
Диапазон перемещений может зависеть от WD, от размера образцов и от конфигурации установленных детекторов
Опционально доступны расширенная камера либо расширенная камера с модифицированным Y-перемещением
Максимальная высота образца:145 мм (без вращения столика),
116 мм (с вращением столика)

Детекторы и аксессуары:

В стандартной поставке:

  • SE – детектор вторичных электронов типа Эверхарта-Торнли (YAG кристалл),
  • R-BSE1 – выдвижной (опционально: моторизованный) кольцевой детектор отраженных электронов сцинтилляционного типа (YAG-кристалл) с высокой чувствительностью и с разрешением по среднему атомному номеру 0,1,
  • Измерение поглощенного тока зонда,
  • Индикация касания — остановка перемещения столика при касании образцом частей камеры или детекторов,
  • ИК-телекамера для обзора камеры образцов

1для XMU детектор BSE входит в стандартную поставку, для XMH — опциональный.

Опционально2:

  • In-Beam SE – детектор вторичных электронов, встроенный в полюсный наконечник объективной линзы, предназначен для получения изображений с высоким разрешением при малых рабочих расстояниях (WD);
  • LVSTD до 500 Па – оригинальный детектор вторичных электронов для переменного вакуума, модификация детектора типа Эверхарта-Торнли, U.S. патент №7,193,222 B2,
  • BDT package – технология торможения пучка электронов путем подачи напряжения смещения на образец, что позволяет получать изображения высокого разрешения при низких ускоряющих напряжениях. BDT package включает в себя также дополнительный In-Beam детектор, который в режиме BDT работает как детектор вторичных электронов, а без режима BDT работает как детектор отраженных электронов, встроенный в полюсный наконечник. Также BDT package по умолчанию содержит систему плазменной очистки камеры,
  • BDT опция – технология торможения пучка электронов путем подачи напряжения смещения на образец, что позволяет получать изображения высокого разрешения при низких ускоряющих напряжениях. BDT опция не включает в себя детектор In-Beam BSE и не включает систему плазменной очистки.
  • In-Beam BSE – кольцевой детектор отраженных электронов сцинтилляционного типа (YAG-кристалл), встроенный в полюсный наконечник объективной линзы, предназначен для получения BSE-изображений с высоким разрешением при малых рабочих расстояниях (WD);
  • R-dual Scintillator BSE – выдвижной (опционально: моторизованный) сдвоенный детектор отраженных электронов сцинтилляционного типа (YAG кристаллы);
  • Retr. 4-Quadrant Semiconductor BSE – выдвижной (опционально: моторизованный) 4-хсегментный полупроводниковый детектор отраженных электронов;
  • Low-kV BSE — выдвижной (опционально: моторизованный) кольцевой детектор отраженных электронов сцинтилляционного типа (YAG-кристалл), разработанный для получения BSE-изображений при низких ускоряющих напряжениях;
  • STEM – детектор для работы «на просвет» в темном и светлом поле;
  • R-STEM – выдвижная моторизованная версия STEM-детектора со встроенным держателем для ламелей;
  • CL – выдвижной (опционально: моторизованный) панхроматический катодолюминесцентный детектор, диапазоны длин волн 350-650 нм либо
    185–850 нм,
  • Rainbow CL – выдвижной (опционально: моторизованный) 4-хканальный детектор цветной катодолюминесценции, содержит каналы R-, G-, B- и панхроматический. Накопление и обработка всех 4-х каналов полностью интегрированы в программное обеспечение микроскопа, без использования внешнего сканирования; диапазон длин волн 350 – 850 нм,
  • Compact CL – CL-детектор в компактном исполнении, что позволяет одновременно собирать изображения CL и BSE (требуется специальный BSE-детектор с алюминиевым покрытием);
  • Rainbow CL (Compact) – детектор Rainbow CL в компактном исполнении, что позволяет одновременно собирать изображения CL и BSE (требуется специальный BSE-детектор с алюминиевым покрытием)
  • Combined BSE/CL – выдвижной комбинированный BSE/CL-детектор, диапазон длин волн CL 350 нм – 650 нм,
  • EBIC – регистрация тока, наведенного электронным пучком в образце,
  • EasyEDX* – полностью интегрированный в ПО микроскопа энергодисперсионный микроанализатор стороннего производителя (Bruker),
  • EDX* – энергодисперсионный спектрометр, угол возвышения 35° или 30º, WD 15 мм или 10 мм соответственно,
  • WDX* – волнодисперсионный спектрометр, угол возвышения 35° или 30º, WD 15 мм или 10 мм соответственно, требуется активная электромагнитная подвеска;
  • EBSD* – детектор для анализа картин дифракции отраженных электронов;
  • SPM* – сканирующий зондовый микроскоп (варианты AFM или STM), установленный на столик сканирующего электронного микроскопа, возможна одновременная работа SEM и SPM.

* — интегрированные продукты других производителей.

Опциональные аксессуары2:

  • Столик образцов с охлаждением Пельтье
  • Прерыватель электронного зонда
  • Система напуска водяных паров
  • Шлюз
  • Контрольная панель для управления отдельными функциями микроскопа TESCAN вне программы управления микроскопа (USB-интерфейс)
  • Фото-навигация
  • Наноманипуляторы
  • Система плазменной очистки камеры

2 Возможные комбинации опциональных детекторов и аксессуаров должны быть согласованы с поставщиками TESCAN!
Для использования сканирующих электронных микроскопов серии MIRA необходим источник бесперебойного питания!

Сканирующий микроскоп высокого разрешения Mira3 XM
Сканирующий микроскоп высокого разрешения Mira3 XM
Сканирующий микроскоп высокого разрешения Mira3 XM