Восстановление пароля

 

Введите код с картинки
This is a captcha-picture. It is used to prevent mass-access by robots. (see: www.captcha.net)

 

FEG SEM высокого разрешения

  • Однополюсная объективная линза иммерсионного типа с углом раствора конуса 60°, благодаря иммерсионой оптике реализуется ультра-высокое пространственное разрешение.
  • Аналитическая линза нового дизайна, что позволяет сохранить высокое пространственное разрешение в неиммерсионном режиме - предназначено для использования вместе детекторами EDS, EBSD, WDS.
  • Катод Шоттки высокой яркости для получения изображений с высоким разрешением, высокой контрастности, с низким уровнем шумов.
  • Три детектора вторичных электронов по технологии TriSETM
  • Три детектора отраженных электронов по технологии TriBETM

Современная электронная оптика

  • Улучшенная промежуточная линза для экстра-широкого поля обзора.
  • Уникальная комбинация режима crossover-free и иммерсионной линзы для эффективной работы при очень больших увеличениях.
  • Уникальная конструкция электронно-оптической колонны с тремя линзами (технология Wide Field Optics™) позволяет использовать оптическую систему в различных режимах: Разрешение, Глубина фокуса, Поле, Широкое поле, Качающийся зонд.
  • Технология EquiPowerTM для непрерывного отвода тепла, что обеспечивает великолепную термостабильность колонны.
  • Новая конструкция электронной пушки с катодом с полевой эмиссией (типа Шоттки), что обеспечивает диапазон токов электронного пучка вплоть до 400 нА.
  • Замена эффективной финальной апертуры осуществляется с помощью электромагнита – запатентованная промежуточная линза (IML) работает в качестве устройства смены апертуры.
  • Конструкция колонны микроскопа без единого механически центрируемого элемента позволяет автоматизировать многие процедуры настройки, включая юстировку и центрирование электронной оптики.
  • Запатентованная технология In-Flight Beam Tracing™, интегрированная с хорошо себя зарекомендовавшим программным модулем Electron Optical Design , служит для вычисления с высокой точностью параметров пучка в реальном времени и оптимизации этих параметров «на лету», что позволяет, в частности, напрямую задавать желаемый диаметр зонда либо ток зонда в непрерывном диапазоне.
  • Расширенный диапазон давлений в режиме низкого вакуума, с давлением в камере вплоть до 500 Па, для изучения без какого-либо напыления образцов, не проводящих электрический ток.
  • Продвинутая система электронно-лучевой литографии DrawBeam, с возможностью создания сложных векторных моделей и с программируемыми параметрами экспонирования.
  • Удобное программное обеспечение для управления микроскопом; для сохранения, архивирования, обработки и анализа изображений. Русскоязычное программное обеспечение, а также Cправка (Help) и Руководство пользователя на русском языке.
  • Встроенный удаленный доступ/диагностика микроскопа.
  • Благодаря передовой технологии 3D Beam Technology оператору доступны уникальные "живые" стереоскопические изображения, которые открывают изумительный трехмерный микро- и нано-мир для 3D-исследований и 3D-навигации.
  • Технология торможения пучка электронов (BDT) для сохранения высокого пространственного разрешения при работе с очень низкими энергиями приземления электронов (вплоть до 50 эВ).
  • Ультра-высокая скорость сканирования (вплоть до 20 нс/пиксель).
  • Удобное и разностороннее управление образцом с помощью моторизованного по всем 5-ти осям компуцентрического столика образцов.

Управление микроскопом

Управление микроскопом осуществляется из программной оболочки MaiaTC на платформе Windows™ с использованием клавиатуры, мыши и трекбола. Контрольная панель и/или сенсорный монитор поставляются дополнительно.

В стандартной поставке:

  • Измерения
  • Обработка изображений
  • «Живое» 3D сканирование
  • «Живая» гамма-коррекция
  • Расчет твердости
  • Калибровка маркера для серии изображений
  • Площадь объектов
  • Таймер выключения
  • Контроль допусков
  • Встроенный язык программирования (Python)
  • Позиционирование и удобная навигация по образцу
  • Видео-захват
  • EasySEMTM

Опционально:

  • Анализ частиц Basic
  • Анализ частиц Advanced
  • Обозреватель образца
  • Сшивка изображений
  • Литография электронным зондом DrawBeam Basic
  • Литография электронным зондом DrawBeam Advanced
  • ПО для управления микроскопом и системой микроанализа одной мышкой и клавиатурой
  • Анализ продуктов выстрела TESCAN TRACE GSR
  • Реконструкция реального 3D профиля поверхности MeX
  • Наблюдение за системой (System Examiner)
  • Счетчик ячеек (навигация внутри сложной периодической структуры)
  • CORAL — корреляционная микроскопия, совместные исследования на сканирующем электронном и оптическом микроскопах
  • SYNOPSYS Client — корреляционная микроскопия, совместные исследования на сканирующем электронном и оптическом микроскопах для микроэлектроники

Электронная оптика

Источник электронов: Катод Шоттки высокой яркости
(катод с полевой эмиссией)
Разрешение:
   
стандартного детектора
(In-Beam SE)

0.7 нм при 15 кВ

1.4 нм при 1 кВ

1.7 нм при 500 В

при наличии опциональной технологии торможения пучка (BDM):

 

1,0 нм при 1 кВ

1.2 нм при 200 В

при наличии опционального детектора «на просвет» STEM: 0,7 нм при 30 кВ
в режиме переменного вакуума (BSE): 2,0 нм при 30 кВ
Увеличение: от 4 × до 1 000 000 ×
(увеличение указано для изображения шириной 5 дюймов, непрерывное изменение увеличения во всем диапазоне)
Максимальное поле обзора: 4.3 мм при аналитическом WD = 5 мм / 7.5 мм при WD = 30 мм
Ускоряющее напряжение: от 200 В до 30 кВ / от 50 В до 30 кВ при наличии опции BDT (технологии торможения пучка электронов)
Ток пучка электронов: от 2 пА (2•10-12 А) до 400 нA (400•10-9 А)
Рабочие режимы электронной оптики:
Разрешение: ультра-высокое разрешение
Глубина: ультра-высокое разрешение с одновременной расширенной глубиной резкости
Аналитика: неиммерсионный режим для аналитических приложений (EDS, EBSD, WDS), для изучения магнитных образцов
Широкое поле: максимальная площадь обзора образцов в камере при минимальных увеличениях без искажений (увеличение известно)
   
В режиме переменного вакуума недоступен режим "Широкое поле"

Система сканирования

Скорость сканирования: От 20 нс до 10 мс на пиксель, регулируется ступенчато или непрерывно
Режимы сканирования: Сканирование по линии и в точке. Форма, размер и положение Окна Фокусировки плавно меняются. Динамический фокус вплоть до наклона плоскости на ± 70°, двойной динамический фокус (для объектов, расположенных ребром).
Сдвиг и вращение области сканирования.
Коррекция наклона образца.
3D пучок – поворот оси сканирования на заданный угол вокруг XY оси.
"Живое" стереоскопическое изображение.
Возможны произвольные формы окна сканирования с опциональным модулем DrawBeam

Вакуумная система

Вакуум в камере образцов:
Режим высокого вакуума: < 9 × 10-3 Па*
Режим переменного вакуума: 7 – 500 Па**
* давление < 5 × 10-4 Па достижимо, точное измерение давления возможно при заказе опционального вакуумного датчика;
** – требуется вставить разделительную апертуру
Вакуум в области электронной пушки: < 3 × 10-7 Па
Типичное время откачки после смены образцов: < 3.5 минут

Камера

Внутренние размеры: 340 мм (ширина) х 315 мм (глубина)
Ширина дверцы: 340 мм (ширина) х 320 мм (высота)
Число портов: 20+
+ Конфигурация и число портов могут быть изменены под задачи заказчика
Подвеска камеры и колонны:
Стандартно: интегрированная активная
электромагнитная

Столик образцов

Тип: Компуцентрический, полностью моторизованный
Перемещения: X = 130 мм (от - 65 мм до + 65 мм)
Y = 130 мм (от - 65 мм до + 65 мм)
Z = 90 мм
Вращение 360° непрерывно
Наклон: от – 80° до + 90°
Диапазон перемещений может зависеть от WD и от размера образцов
Максимальная высота образца: 137 мм (без вращения столика),
96 мм (с вращением столика)

В стандартной поставке:

  • SE – детектор вторичных электронов типа Эверхарта-Торнли (YAG кристалл),
  • In-Beam SE – детектор вторичных электронов, встроенный в полюсный наконечник объективной линзы, предназначен для получения SE-изображений с высоким разрешением при малых рабочих расстояниях (WD);
  • R-BSE – выдвижной (опционально: моторизованный) кольцевой детектор отраженных электронов сцинтилляционного типа (YAG-кристалл) с высокой чувствительностью и с разрешением по среднему атомному номеру 0,1. Для электронов, рассеянных на широкие углы,
  • Mid-angle BSE - детектор отраженных электронов, расположенный внутри колонны и собирающий с высокой эффективностью электроны, рассеянные на средние углы;
  • Измерение поглощенного тока зонда,
  • Индикация касания — остановка перемещения столика при касании образцом частей камеры или детекторов,
  • ИК-телекамера для обзора камеры образцов

Опционально1:

  • LVSTD – оригинальный детектор вторичных электронов для переменного вакуума, модификация детектора типа Эверхарта-Торнли, U.S. патент №7,193,222 B2.
  • BDT package – технология торможения пучка электронов путем подачи напряжения смещения на образец, что позволяет получать изображения высокого разрешения при низких ускоряющих напряжениях. BDT package включает в себя также дополнительный In-Beam детектор, встроенный в полюсный наконечник, который в режиме BDT работает как детектор вторичных электронов, а без режима BDT работает как детектор отраженных электронов. При наличии технологии BDT энергия приземления электронов снижается вплоть до 50 эВ. Также BDT package по умолчанию содержит систему плазменной очистки камеры.
  • BDT опция – технология торможения пучка электронов путем подачи напряжения смещения на образец, что позволяет получать изображения высокого разрешения при низких ускоряющих напряжениях. BDT опция не включает в себя детектор In-Beam BSE и не включает систему плазменной очистки.
  • In-Beam LE-BSE – кольцевой детектор отраженных электронов сцинтилляционного типа (YAG-кристалл), встроенный в полюсный наконечник объективной линзы, предназначен для получения BSE-изображений с высоким разрешением при малых рабочих расстояниях (WD). Регистрирует отраженные электроны, распространяющиеся вдоль оси электронно-оптической колонны. Способен регистрировать отраженные электроны как при высоких энергиях первичного пучка, так и при малых энергиях.
  • Low-kV BSE — выдвижной (опционально: моторизованный) кольцевой детектор отраженных электронов сцинтилляционного типа (YAG-кристалл), разработанный для получения BSE-изображений как при высоких энергиях первичного пучка, так и при малых энергиях.
  • STEM – детектор для работы «на просвет» в темном и светлом поле.
  • HADF R-STEM – выдвижная моторизованная версия STEM-детектора для одновременного накопления изображений светлого поля (BF), темного поля (DF), высокоуглового темного поля (HADF).
  • CL – выдвижной (опционально: моторизованный) панхроматический катодолюминесцентный детектор, диапазоны длин волн 350-650 нм либо 185–850 нм.
  • Rainbow CL – выдвижной (опционально: моторизованный) 4-хканальный детектор цветной катодолюминесценции, содержит каналы R-, G-, B- и панхроматический. Накопление и обработка всех 4-х каналов полностью интегрированы в программное обеспечение микроскопа, без использования внешнего сканирования; диапазон длин волн 350 – 850 нм.
  • Compact CL – CL-детектор в компактном исполнении, что позволяет одновременно собирать изображения CL и BSE (требуется специальный BSE-детектор с алюминиевым покрытием);
  • Rainbow CL (Compact) – детектор Rainbow CL в компактном исполнении, что позволяет одновременно собирать изображения CL и BSE (требуется специальный BSE-детектор с алюминиевым покрытием).
  • Combined BSE/CL – выдвижной комбинированный BSE/CL-детектор, диапазон длин волн CL 350 нм – 650 нм.
  • EBIC – регистрация тока, наведенного электронным пучком в образце.
  • EDX* – энергодисперсионный спектрометр, угол возвышения 35°, при WD = 5 мм.
  • WDX* – волнодисперсионный спектрометр, угол возвышения 35°, при WD = 5 мм.
  • EBSD* – детектор для анализа картин дифракции отраженных электронов.

* — интегрированные продукты других производителей.

Опциональные аксессуары1:

  • Столик образцов с охлаждением Пельтье
  • Прерыватель электронного зонда
  • Шлюз
  • Контрольная панель для управления отдельными функциями микроскопа TESCAN вне программы управления микроскопа (USB-интерфейс)
  • Фото-навигация
  • Наноманипуляторы
  • Система плазменной очистки камеры

1 Возможные комбинации опциональных детекторов и аксессуаров должны быть согласованы с поставщиками TESCAN!
Для использования сканирующих электронных микроскопов серии MAIA необходим источник бесперебойного питания!

Сканирующий микроскоп высокого разрешения Maia3 LM model 2016
Сканирующий микроскоп высокого разрешения Maia3 LM model 2016
Новости
Наши изображения
Вход на сайт

 

Введите код с картинки

This is a captcha-picture. It is used to prevent mass-access by robots. (see: www.captcha.net)

Зарегистрироваться